特徴

• ニアフィールドプローブ Model : LF1 set

  

  100kHz～50MHz 磁界

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  100kHz～50MHz 磁界

  

  LF1 setは、電子アセンブリ上の100kHz～50MHzの磁界を測定するための4種類のシールドプローブのセットです。 プローブヘッドは、単一ピンやより大きなコンポーネント、およびアセンブリ上の電磁干渉源の検出用に設計されています。 最初、LF-R 400プローブで大枠の発生源を特定し、次にLF-B 3やLF-U 5、LF-U 2.5のような高分解能のプローブを使用して発生源を特定します。磁界プローブは、電界成分を抑える構造となっています。

  ※ 本プローブをEPS-02Ev3と接続するためには変換コネクタ（MODEL:02-00050A）が必要です。

• ニアフィールドプローブ Model : RF1 set

  

  30MHz～3GHz 電界／磁界

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  30MHz～3GHz 電界／磁界

  

  RF1 setは、電子アセンブリ上の30MHz～3GHzまでの電界および磁界を測定するための4種類のプローブのセットです。それぞれのプローブは、電子アセンブリに非常に近い距離での測定に向いています。電磁干渉源を特定するために、単一のICピンや導電路、コンポーネント、およびコネクタ上に配置し測定します。これらのプローブを使用することで、磁界の向きや電界分布を確認することができます。磁界プローブは、電界成分を抑える構造となっています。

  ※ 本プローブをEPS-02Ev3と接続するためには変換コネクタ（MODEL:02-00050A）が必要です。

• ニアフィールドプローブ Model : RF2 set

  

  30MHz～3GHz 磁界

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  30MHz～3GHz 磁界

  

  RF2 setは、電子アセンブリ上の30MHz～3GHzまでの電界および磁界を測定するための4種類のプローブのセットです。 プローブヘッドは、アセンブリ上のRF磁場からの干渉源を段階的に突き止めることが可能です。最初、RF-R 400-1およびRF-R 50-1のプローブを使用して、遠距離からの電磁干渉を検出できます。 次に、より高い分解能のRF-B 3-2およびRF-U 5-2プローブで、干渉源をより正確に検出することができます。これらのプローブを使用することで、磁界の向きや電界分布を確認することができます。磁界プローブは、電界成分を抑える構造となっています。

  ※ 本プローブをEPS-02Ev3と接続するためには変換コネクタ（MODEL:02-00050A）が必要です。

• ニアフィールドプローブ Model : RF3 mini set

  

  30MHz～3GHz 磁界

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  30MHz～3GHz 磁界

  

  RF3 mini setは、開発段階で電子アセンブリ上の30MHz～3GHzの磁場を測定するため、1mm以下の分解能を持つ2つのプローブのセットです。プローブヘッドは、詳細な測定用に設計されています。これらプローブを使用することで、電子アセンブリ上の磁界の指向性および分布を検出することができます。プローブはシース構造となっており、電界成分をシールドします。また、本プローブの測定に際しては、20 dBまたは30 dBのプリアンプを使用することをお勧めします。

  ※ 本プローブをEPS-02Ev3と接続するためには変換コネクタ（MODEL:02-00050A）が必要です。