半導体エミッション測定は、IEC規格で標準化されている半導体（IC)に対するエミッション測定法です。
主にIEC61967-2/3/4/5/6/8までの６種類の測定法が規定されており、現在、これら６種類の測定法の中ではIEC61967-2（TEMセル法）、IEC61967-4（1Ω/150Ω法）の２種類が多く利用されています。
IEC61967-2は、小型の広い周波数特性のあるTEM Cellを用いた測定法です。TEMCellの外壁上部に角穴があり、その角穴に密着するように専用の測定基板を設置し、DUTからの輻射を測定するシステムです。
DUTからの輻射のみを測定するために、基板はDUT側が配置される側に表層グランド面を設け、そのグランド面とTEM Cell外壁とを密着させることで、DUTのみTEM Cell内に置かれるように配置します。
IEC61967-4はデバイスのグランドリターンに１Ωの抵抗を直列に配置し、その電圧降下から電流値を測定する方法です。
また、IOポートでは線路インピーダンスを150Ωとして、グラウンドとの電位差を測定します。
ノイズ研究所の半導体エミッション測定システムは、主にIEC61967-2（TEMセル法）、IEC61967-4（1Ω/150Ω法）の試験法において、専用のソフトウェアを用いて構築ができます。